金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强，到2050年前后，有望成为人造卫星等所必需的构件。金刚石材料具备载流子迁移率高、载流子饱和漂移速率大、击穿场强大等特性，是制造大功率、高温、高频器件的理想材料，由于它的带隙宽、热导率高、击穿电场强、极高的电荷迁移率（CVD 金刚石的电子迁移率 > 75000px2/V.s），使得金刚石半导体器件能够在高频、高功率、高电压以及强辐射等十分恶劣的环境中运行，被称为“终极半导体材料”。

普通半导体器件在这种极端环境下的寿命非常短，而日本公司发现，金刚石半导体器件在450摄氏度的高温和辐射强度极高的恶劣环境下也能正常工作。此外，为保护半导体器件免受强辐射和高温环境的影响，原本需要用沉重的铅包裹机器人的核心部分，并配备专门的冷却装置，而配备金刚石半导体后，就可以省去这些装置，从而减轻机器人重量，提高工作效率。不仅是半导体，从材料生长、器件结构、器件工艺等方面，金刚石的研发都有很大的进展，这为金刚石早日得到真正市场应用开启了新的契机。

金刚石产量大国

中国半导体研发也在进行

全球天然金刚石年产量约为1.5亿克拉，而人造金刚石产量则超过200亿克拉，其中95%产量来自于中国大陆。关于我国在金刚石方面的研究，相关专家指出，我国作了大量的探索性研究工作，但是与先进国家相比还有巨大差距，主要表现在：关键工艺设备依赖进口，没有自主知识产权，容易遭到国外封锁；单晶金刚石衬底无法在国内稳定获取；没有先进的大尺寸单晶金刚石薄膜的生长工艺等。

因此，未来金刚石材料和功率器件的发展重点应集中在几个方向：首先是要开发出满足功率半导体器件制造要求的2～4英寸金刚石单晶衬底制备技术。特别是应重点突破2～4英寸金刚石单晶材料技术，材料质量可以满足金刚石功率器件研发的需求。其次是在高质量金刚石N型掺杂技术方面进一步取得突破，提高电子和空穴迁移率，为研制金刚石功率器件奠定基础。第三是掌握金刚石器件研制的核心关键工艺，研制出高性能的金刚石功率器件。开展金刚石材料和器件关键设备的研发，获得自主知识产权，并实现商业化。